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人工晶体学报2024年第04期:腐蚀法制备SiC量子点粒径调控及尺寸对其光学性能的影响

来源:期刊VIP网 时间:


作者:康杰;丁紫阳;王晓燕;李连荣;孙为云;焦璨;宋月鹏;

单位:郑州职业技术学院新材料工程学院;山东农业大学机械与电子工程学院;

摘要:以氢氟酸、硝酸及分析纯硫酸组成的混合液为腐蚀剂,通过化学腐蚀法制备碳化硅量子点。对腐蚀混合液进行超声空化破碎,而后将其置于浓度梯度溶剂中进行高速离心层析裁剪,获得光学性能优异且粒径尺寸可控的碳化硅量子点。本文研究了腐蚀进程中碳化硅量子点微观形貌的演变过程,对SiC量子点的微观结构及发射光谱进行检测分析后,以发射光谱为纽带,建立量子点尺寸、光谱、颜色的关联机制。结果表明,超重力系数设定a=1 000、离心时间120 min条件下,距液面位移0、30、60 mm处量子点平均直径约为2、5、7 nm,单一波长激发下随着碳化硅量子点直径由2→5→7 nm的变化,其光致发光相对强度峰值出现由417→435→445 nm的红移,而且发光颜色也相应呈现蓝绿色→绿色→黄绿色的变化规律;进一步研究发现,三种尺寸量子点发射光谱的半峰全宽随取液深度的增加而呈现81→97→106 nm增加的现象,初步分析这是由高速离心层析裁剪后靠近上层液面量子点粒径分布均匀性高于远离上层液面所致。

关键词:SiC量子点;;微观形貌;;尺寸调控;;特征发射光谱;;颜色

基金资助:河南省科技攻关项目(222102220118)