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作者：徐国锋;王正平;王树贤;武奎;梁飞;路大治;张怀金;于浩海;
单位：山东大学晶体材料研究院,晶体材料国家重点实验室;
摘要：<正>深紫外激光是半导体领域的关键光源。基于非线性频率变换的全固态深紫外激光具有结构紧凑、价格低廉等优势，有广泛需求。受限于晶体非线性系数较线性介电常数小数个数量级，深紫外激光通常以具有高峰值(千瓦级)的脉冲形式获得，连续波深紫外激光效率较低，其实用化极其困难。高峰值的紫外激光通常会对半导体表面及内部产生损伤，限制了半导体晶圆缺陷等装备的应用和发展。当前，晶圆检测用关键瓦级连续波深紫外激光器制备技术被国外极少数几家企业高度垄断，我国相关研究和产业化技术急需发展。
