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作者：胡敏艺;时梓垿;孙皓;陈敬波;
单位：贵州轻工职业技术学院先进电池与材料工程研究中心;贵州大学化学与化工学院;
摘要：低电导率和嵌脱锂过程中的体积膨胀问题影响Si材料的电化学性能。以碳纳米管为模板，制备前驱体二氧化硅(SiO_2)纳米管，再以镁粉为还原剂，通过镁热还原制备单质Si纳米片材料。探索镁热还原温度(660℃、700℃和800℃)和正硅酸乙酯(TEOS)用量(1 mL、6 mL和8 mL)对Si材料形貌和电化学性能的影响。镁热还原温度在660℃时，TEOS用量为1 mL时，单质Si纳米片结构完整，表现出较好的电化学性能：以1.0 A/g电流在0～1.5 V充放电，Si-T660材料的首次库仑效率达到86.5%,第100次循环的比容量仍保持在2 168.1 mAh/g。TEOS用量为6 mL时，首次库仑效率可达到86.05%,第100次循环的比容量仍保持在1 537.5 mAh/g。
关键词：锂离子电池;;负极材料;;Si负极;;二氧化硅(SiO_2);;Si纳米片;;镁热还原
基金资助：国家自然科学基金（51764008）;; 贵州轻工职业技术学院自然科学研究项目（23QY02）
