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作者:冯禹森;苑泽伟;
单位:沈阳工业大学机械工程学院;
摘要:碳化硅晶片在半导体及光学领域有广泛应用,亟需能够实现其高效高质量磨削的砂轮及制造方法。本文在分析单晶Si、单晶SiC、单晶金刚石及Al_2O_3陶瓷、SiC陶瓷等不同种类硬脆材料磨削特性的基础上,研制陶瓷基金刚石砂轮和化学机械磨削砂轮。结果表明:砂轮在磨削碳化硅材料时具有较优的加工效果,尤其是单晶碳化硅材料,表面质量最好可达到6 nm。工件表面加工划痕与材料表面硬度、内部孔隙、晶体的各向异性有关,且是影响被加工材料表面质量的主要因素。引入适当的Fe_3O_4材料可以有效减少磨削后碳化硅表面的脆性划痕与剥落,增强砂轮的磨削性能,材料去除形式以延性去除为主,单晶碳化硅材料表面粗糙度最好可达到2 nm。
关键词:金刚石砂轮;;碳化硅;;Fe_3O_4;;表面形貌