来源：期刊VIP网 时间：
作者：高远;李筝;曹勇;桑利军;刘博文;刘忠伟;
单位：北京印刷学院等离子体物理及材料研究室;
摘要：随着集成电路特征尺寸的不断缩小，传统刻蚀技术在选择性和物理损伤控制等方面面临挑战。自由基刻蚀技术具有高精度、低刻蚀损伤等优点，在微纳加工中具有重要应用价值与广阔的应用前景。研究利用自由基刻蚀技术，以CF_4/O_2/He混合气体为放电气体，系统研究了放电参数，如输入功率与气体流量对多晶硅刻蚀速率和F原子密度的影响。使用Ar作为标定气体定量测定刻蚀过程中的F原子密度。结果表明，F原子密度和刻蚀速率均随功率或CF_4流量的增加呈现先上升后趋于平稳的趋势；适当增加He或O_2比例可以提高刻蚀速率，但过高的He或O_2流量会导致F原子密度减少和刻蚀速率下降。研究揭示了自由基刻蚀过程中的关键参数，为优化刻蚀工艺提供了理论指导。
关键词：多晶硅;;自由基刻蚀;;刻蚀速率;;F原子密度
基金资助：国家自然科学基金项目(12475255);; 北京市自然科学基金项目(2232061)
