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作者：王瀚鹏;李炎朴;刘播;
单位：湖南大学整车先进设计制造技术全国重点实验室;
摘要：超快激光隐形切割具有高效、低损耗等显著优势，目前已成为碳化硅(SiC)晶圆高质量切割的关键技术。激光切割加工过程中形成的改质层的分布对晶圆切割质量有着重要影响。因此，采用逐层扫描的加工方法，对SiC晶圆的超快激光隐形切割进行了实验研究，深入分析了激光扫描层数、脉冲宽度和单脉冲能量等关键工艺参数对加工质量的影响。实验结果表明，对于厚度为350μm的4H-SiC晶圆，当激光扫描层数为9层时，能够形成连续且完整的改质层，且在脉冲宽度为10 ps,单脉冲能量为16μJ时，能实现表面粗糙度仅为2.30μm的侧壁加工质量。研究结果将为碳化硅晶圆的高质量激光隐形切割提供重要的工艺参数参考，为激光加工领域的相关研究和应用奠定一定的工艺基础。
关键词：超快激光隐形切割;;碳化硅晶圆;;改质层;;克尔效应
基金资助：国家重点研发计划项目重点专项(2021YFE0108500)
