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作者：张丽娜;高飞;陆文琪;
单位：大连理工大学物理学院三束材料改性教育部重点实验室;江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司;
摘要：氮化铝(AlN)是一种性能优异的陶瓷材料，在微电子、电子元件、高频宽带通信以及功率半导体器件等领域有广泛应用，然而AlN薄膜的一些特性具有显著的各向异性。因此，调控AlN薄膜的择优取向一直备受科研工作者的关注。文章利用中频反应磁控溅射在玻璃基片上制备AlN薄膜，研究了氮分压、溅射功率以及基片温度对AlN薄膜特性的影响。结果发现，适合制备择优取向AlN薄膜的条件是低气压和200℃-300℃的基片温度，气相中的氮分压和粒子能量是影响AlN薄膜择优取向的两个主要因素。较低的氮分压和粒子能量有利于获得(100)/(110)择优生长的薄膜，其中相对于(100)取向，较低的沉积能量更有利于(110)的择优生长，而较高的氮分压和粒子能量则有利于获得(002)择优生长的薄膜。研究结果为玻璃表面氮化铝薄膜的制备和应用提供参考。
关键词：中频磁控溅射;玻璃基片;AlN薄膜;择优取向
