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现代电子技术2024年第10期:基于SiGe工艺多抽头电感结构的紧凑型Wilkinson功分器

来源:期刊VIP网 时间:


作者:张斌;秦战明;孙文俊;蒋颖丹;汪柏康;张礼怿;

单位:中国电子科技集团第五十八研究所;

摘要:为了解决传统Wilkinson功分器损耗高、尺寸大的问题,从功分器的理论分析出发,将传统的微带线结构和LC集总式结构进行改进,在隔离电阻处引入频率补偿电容,设计一种新型的多抽头电感结构的紧凑型宽带二等分功分器。所设计的功分器基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺。射频/微波电磁仿真显示,在8~16 GHz的频带范围内,功分器的分配损耗小于0.8 dB,隔离度大于20 dB,端口回波损耗大于15 dB,核心电路版图面积仅为0.30 mm×0.25 mm,可满足宽带功分器低损耗、小型化、高隔离度的设计要求。

关键词:Wilkinson功分器;;多抽头电感;;SiGe工艺;;二等分结构;;补偿电容;;低损耗;;小型化