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作者：杨悦悦;吴松;马素娜;关梦雅;王晶莹;任彬彬;
单位：河南中医药大学;河南中医药大学第一附属医院;
摘要：目的：观察电针对脑缺血大鼠缺氧诱导因子（HIF）/血管内皮生长因子（VEGF）/神经源性位点缺口同源蛋白（Notch）信号通路及相关因子的影响，探讨电针对大鼠脑缺血后大脑微血管新生的调控机制。方法：从100只雄性SD大鼠中随机选取15只为假手术组，其余85只大鼠采用改良Zea-Longa法制备左侧大脑中动脉缺血模型，将造模成功的大鼠随机分为模型组、电针组、电针+抑制剂组、抑制剂组，每组15只。电针组大鼠予“百会”、右侧“足三里”电针治疗，疏密波，30 min/次，1次/d；电针+抑制剂组大鼠在电针治疗后，腹腔注射HIF-1α抑制剂YC-1 (2.5 mg/kg),1次/d；抑制剂组大鼠腹腔注射HIF-1α抑制剂YC-1 (2.5 mg/kg),1次/d。以上各组均连续治疗7 d。采用改良神经功能损伤严重程度量表（mNSS）评分评估大鼠神经功能缺损情况；TTC染色法观察大鼠脑梗死体积百分比；HE染色法观察大鼠缺血半暗带皮层病理学变化；免疫荧光染色法检测CD34表达以计算缺血半暗带皮层微血管密度（MVD）;Western blot法和荧光定量PCR法分别检测缺血半暗带皮层脑组织HIF-1α、VEGF、血管内皮生长因子受体2(VEGFR2)、Notch1、Delta样4配体（DLL4）蛋白及mRNA表达水平。结果：与假手术组比较，模型组大鼠mNSS评分、脑梗死体积百分比及脑组织缺血半暗带MVD均升高（P<0.01），缺血侧脑组织HIF-1α、VEGF、VEGFR2、Notch1、DLL4的蛋白及mRNA表达水平升高（P<0.01）。与模型组比较，电针组大鼠mNSS评分、脑梗死体积百分比均降低（P<0.01），脑组织缺血半暗带MVD和缺血侧脑组织HIF-1α、VEGF、VEGFR2、Notch1、DLL4的蛋白及mRNA表达水平均升高（P<0.01）；抑制剂组大鼠mNSS评分及脑梗死体积百分比均升高（P<0.01），脑组织缺血半暗带MVD和HIF-1α、VEGF、VEGFR2、Notch1、DLL4的蛋白及mRNA表达水平降低（P<0.05,P<0.01）。与电针+抑制剂组比较，电针组大鼠mNSS评分、脑梗死体积百分比均降低（P<0.01），脑组织缺血半暗带MVD和HIF-1α、VEGF、VEGFR2、Notch1、DLL4的蛋白及mRNA表达水平均升高（P<0.01）；抑制剂组大鼠mNSS评分、脑梗死体积百分比均升高（P<0.01），大鼠脑组织缺血半暗带MVD和HIF-1α、VEGF、VEGFR2、Notch1、DLL4的蛋白及mRNA表达水平均降低（P<0.01）。HE染色显示模型组大鼠缺血半暗带脑组织神经元结构疏松，排列紊乱，细胞肿胀；与模型组比较，电针组大鼠缺血半暗带脑组织排列紊乱程度有所改善，肿胀程度减轻，而抑制剂组缺血半暗带脑组织上述损伤程度更重；与电针+抑制剂组比较，抑制剂组大鼠缺血半暗带脑组织上述损伤程度更重，而电针组缺血半暗带脑组织上述损伤程度较轻。结论：电针“百会”“足三里”可促进脑缺血大鼠缺血半暗带血管新生，减轻缺血后脑损伤，其作用机制可能与提高HIF/VEGF/Notch信号通路及相关因子的表达有关。
关键词：缺血性脑卒中;;电针;;缺氧诱导因子/血管内皮生长因子/神经源性位点缺口同源蛋白信号通路;;血管新生
基金资助：2022年度河南省中医药拔尖人才培养项目（No.2022ZYBJ09）;; 中医药传承与创新人才工程项目（No.CZ0262-10-02）;; 2023年度河南省中医药科学研究专项课题项目（No.2023ZY30010）
