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作者：孙汝军;张晶辉;李一帆;郝跃;张进成;
单位：西安电子科技大学,宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室;西安电子科技大学集成电路学部;
摘要：氧化镓(Ga_2O_3)材料具有超宽禁带宽度、高击穿电场强度，在电力电子器件和光电器件领域具有巨大应用前景。虽然氧化镓难以实现p型导电，但仍可以利用p型掺杂调控能带实现电学性能设计。实验上已验证的氧化镓p型掺杂杂质有Mg、Fe、N、Zn、Cu、Ni、Co等，其中，Mg掺杂由于形成能最低、能级位置最靠近价带顶，以及掺入方法多而被大量研究。本文聚焦Mg掺杂，首先对Mg掺杂氧化镓的受主能级的理论计算认识和实验测试结果进行综述；接着总结了Mg掺杂氧化镓半绝缘单晶和外延层的各种掺杂方法、掺杂浓度，以及在热处理中Mg扩散等关键问题；最后指出关于Mg掺入、激活及扩散机制还值得进一步研究，并对其未来进行了展望。
关键词：氧化镓;;Mg掺杂;;半绝缘衬底;;电流阻挡层;;电学性能
基金资助：国家自然科学基金(62204186);; 陕西省三秦英才引进计划青年项目;; 国家级抗辐照应用技术创新中心(KFZC2022020401);; 中央高校基本科研业务费专项资金(ZYTS23027)
