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作者：杨文娟;卜予哲;赛青林;齐红基;
单位：中国科学院上海光学精密机械研究所激光晶体研究中心;中国科学院大学材料与光电研究中心;杭州光学精密机械研究所;
摘要：β-Ga_2O_3作为新一代超宽带隙半导体材料，因优异的物理性能和在器件中的高性能而受到越来越多的关注。β-Ga_2O_3的制备可采用浮区法、导模(EFG)法等多种熔融晶体生长方法。缺陷通常会对半导体器件的性能产生严重的负面影响，所以β-Ga_2O_3晶体的缺陷检测技术显得尤为重要。过去通常采用刻蚀的方法进行位错的检测和密度计算，但这种方法是破坏性的，只适用于实验样品的研究分析。本文突破传统缺陷分析方法的局限，引入X射线形貌分析术(XRT)并结合酸性腐蚀法，对导模法生长β-Ga_2O_3的(001)、(010)、(100)面分别进行了深入研究，揭示了位错在三维空间的分布特征，明确指出，在导模法晶体中，沿着b轴[010]方向的位错占主导地位，为理解β-Ga_2O_3位错的结构和特征提供了宝贵的信息，进而为之后外延和器件晶面的选择指明了新的方向。
关键词：氧化镓;;宽禁带半导体;;位错;;X射线形貌分析术;;导模法;;腐蚀法
基金资助：国家重点研发计划(2022YFB3605500)
