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作者：韩宇;焦腾;于含;赛青林;陈端阳;李震;李轶涵;张钊;董鑫;
单位：吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子全国重点实验室;中国科学院上海光学精密机械研究所激光晶体研究中心;
摘要：本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺，在Fe掺杂的(001)、(010)和■晶面的氧化镓(Ga_2O_3)衬底上实现了Si掺杂n型β-Ga_2O_3薄膜的同质外延生长，系统研究了衬底晶面对生长的薄膜晶体质量、生长速度及电学性能的影响。研究结果表明，同质外延生长的n型β-Ga_2O_3薄膜样品均表现出与衬底一致的晶面取向，且双晶摇摆曲线半峰全宽(FWHM)均很小，具有较高的晶体质量；各薄膜的表面粗糙度较低，基本呈现台阶流的生长特征；不同晶面衬底上薄膜同质生长速度存在较大差异，其中(001)晶面衬底上薄膜的生长速度较快，可达1μm/h以上。在(010)晶面衬底上生长的n型β-Ga_2O_3薄膜，其载流子浓度与迁移率最高，在器件的制备中更具潜力。该项研究将为Ga_2O_3基器件制备提供有力的数据支撑。
关键词：氧化镓;;金属有机化学气相沉积;;同质外延;;掺杂;;迁移率;;生长速率
基金资助：国家重点研发计划(2022YFB3605500)
