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作者：陈俊宏;胡鉴闻;魏钟鸣;
单位：中国科学院半导体研究所,半导体芯片物理与技术全国重点实验室;
摘要：氧化镓(Ga_2O_3)作为一种具有宽禁带(约4.9 eV)和特殊光电性能的半导体材料，近年来在紫外光探测器(UVPD)、光电传感器等领域得到了广泛关注。Ga_2O_3的微纳米结构，例如纳米线、纳米棒、纳米管和纳米片等一维或二维纳米结构，因具有优异的光电响应特性、快速的电子迁移率和高稳定性，成为提升探测器性能的关键。本文介绍了多种Ga_2O_3微纳米结构的合成方法，如水热法、电化学沉积法、气相沉积法等，分析了各种方法的优缺点，以及如何通过调节反应条件实现对Ga_2O_3微纳米结构形态和尺寸的精确控制。接着，探讨了这些微纳米结构在紫外探测器中的应用，尤其是在高灵敏度、高选择性和偏振光的光电探测器中表现出的潜力。
关键词：氧化镓;;微纳米结构;;光探测器;;宽禁带半导体
基金资助：国家自然科学基金(62125404)
