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作者：霍晓青;张胜男;周金杰;王英民;程红娟;孙启升;
单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所,新型半导体晶体材料技术重点实验室;
摘要：超宽禁带半导体β-Ga_2O_3单晶以优异的耐高压性能和低成本的潜力，引起了研究者的广泛关注。本文采用导模法生长出了3～4英寸(1英寸=2.54 cm)Fe掺β-Ga_2O_3单晶，长度最大可达270 mm,一块晶坯可以获得多块大尺寸氧化镓单晶，有效降低了晶体生长成本。对生长晶体的电学、光学和高分辨X射线衍射半峰全宽等性能参数进行了测试分析，数据表明晶片电学、光学和XRD半峰全宽一致性佳，晶体质量优异。对系列Fe掺杂β-Ga_2O_3单晶进行了性能研究，分析了Fe元素对β-Ga_2O_3单晶质量、带隙、晶格振动的影响。研究发现，不同Fe掺杂β-Ga_2O_3单晶的结晶质量佳，Fe元素可使β-Ga_2O_3单晶的带隙变宽，同时Fe掺杂使β-Ga_2O_3单晶产生了轻微的拉伸应力。本文研究为衬底外延和器件验证提供数据支撑。
关键词：β-Ga_2O_3单晶;;电阻率;;透过率;;Raman光谱;;XRD半峰全宽
