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作者：李尧;张栩莹;王爱玲;牛瑞霞;王奋强;蓝俊;张鹏杰;刘良朋;吴回州;
单位：兰州交通大学电子与信息工程学院;
摘要：GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）作为宽禁带功率半导体器件的代表，在电子电路的应用方面有巨大的潜力。GaN HEMT因其高击穿电压、高电子迁移率等优异性能，适用于各种高频、高功率器件，并被广泛应用于雷达和航空航天等领域。文中利用Silvaco TCAD软件，定义了AlGaN/GaN单异质结和双异质结HEMT结构，并对其转移特性、输出特性、频率特性和热特性进行了仿真研究。结果表明，AlGaN/GaN双异质结HEMT比单异质结器件具有更好的性能。这主要得益于双异质结二维电子气具有更好的限域性，并且载流子迁移率高的优势。
关键词：AlGaN/GaN异质结;;HEMT;;二维电子气;;转移特性;;输出特性;;频率特性;;热特性
基金资助：国家自然科学基金项目（61905102）;国家自然科学基金项目（62264008）;; 兰州市青年科技人才创新项目（2023-QNQ-119）;; 甘肃省高校青年博士支持项目（2024QB-050）;; 开放课题（甘财教[2023]36号-集成电路产业研究院）
