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作者：王敏聪;刘成;
单位：上海大学微电子学院;
摘要：为了解决当前CMOS基准电压缓冲器在驱动大电容负载电路时所面临的可靠性问题和性能瓶颈，提出一种高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片。该芯片采用CMOS缓冲放大器，结构包括折叠式共源共栅输入级、轨至轨Class AB输出级和推挽输出缓冲级。设计中加入了修调电路、Clamp电路及ESD防护电路。芯片面积为2 390μm×1 660μm。在SMIC 0.18μm CMOS工艺下进行了前仿真、版图绘制及Calibre后仿真。前仿结果显示：当负载电容为10μF时，电路实现了126 dB的高开环增益和97°的相位裕度，同时PSRR超过131 dB，噪声为■及■。后仿结果与前仿结果基本一致。总体结果表明，该电路具有高增益、高电源抑制比及低噪声等特点，同时拥有很高的输出驱动能力。因此，所提出的基准电压缓冲芯片可以用于驱动如像素阵列等具有大电容负载的电路。
关键词：基准电压缓冲芯片;;CMOS电压缓冲运算放大器;;ESD防护电路;;芯片版图;;高增益;;高驱动能力
基金资助：国家重点研发计划项目（2021YFB3200600）;国家重点研发计划项目（2021YFB3200602）
