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作者：叶志霖;李世凤;崔国新;尹志军;王学斌;赵刚;胡小鹏;祝世宁;
单位：南京大学现代工程与应用科学学院;南京南智先进光电集成技术研究院有限公司;南京大学固体微结构物理国家重点实验室;
摘要：随着光子集成和光通信技术的快速发展，低损耗波导是实现高效光子传输的关键元件，其性能直接影响整个集成芯片的性能。因此，低损耗波导的制备技术是当前铌酸锂集成光子技术研究的热点和难点。本研究针对晶圆级低损耗薄膜铌酸锂波导的制备工艺进行了深入研究，在4英寸的薄膜铌酸锂晶圆上，基于深紫外光刻和电感耦合等离子体刻蚀技术，成功制备出了传输损耗低于0.15 dB/cm的波导，同时刻蚀深度误差控制在10%以内，极大地提高了波导结构的精确度。此外，本研究还提出了一种基于微环谐振腔的晶圆上波导损耗的表征方案，能更精确地评估波导性能。通过测试，发现所制备的波导合格率超过85%,显示出良好的可重复性和可靠性。本文中发展的晶圆级薄膜铌酸锂加工工艺，对推进铌酸锂波导的大规模制备和应用具有重要意义。
关键词：薄膜铌酸锂;;晶圆级加工;;波导损耗测量;;深紫外光刻;;ICP刻蚀;;集成光子技术
基金资助：国家重点研发计划(2022YFA1205100,2022YFF0712800);; 国家自然科学基金(92163216,92150302,62288101,12192251);; 江苏省前沿引领技术基础研究专项(BK20192001)
