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作者：顾小英;赵青松;牛晓东;狄聚青;张家瑛;肖溢;罗恺;
单位：安徽光智科技有限公司;广东先导稀材股份有限公司;
摘要：13N超高纯锗单晶是制作超高纯锗探测器的核心材料。本文通过还原法获得还原锗锭，再由水平区熔法提纯获得12N高纯锗多晶，最后由直拉法生长得到13N超高纯锗单晶。通过低温霍尔测试、位错密度检测、深能级瞬态谱(DLTS)测试对13N超高纯锗单晶性能进行分析。低温霍尔测试结果显示，晶体头部截面平均迁移率为4.515×10~4 cm~2·V~(-1)·s~(-1),载流子浓度为1.176×10~(10) cm~(-3),导电类型为p型，位错密度为2 256 cm~(-2);尾部截面平均迁移率为4.620×10~4 cm~2·V~(-1)·s~(-1),载流子浓度为1.007×10~(10) cm~(-3),导电类型为p型，位错密度为2 589 cm~(-2)。晶体深能级杂质浓度为1.843×10~9 cm~(-3)。以上结果表明该晶体是13N超高纯锗单晶。
关键词：锗单晶;;探测器;;迁移率;;载流子浓度;;位错密度
基金资助：国家重点研发计划(2021YFC2902805);; 2022年核能开发科研项目(HNKF202224(28))
