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作者：李萍;秦彦军;庞国旺;唐玉柱;张遥;王鹏;刘晨曦;
单位：新疆理工学院理学院;新疆理工学院机电工程学院;西安工业大学光电工程学院,陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室;
摘要：本文基于密度泛函理论第一性原理，系统研究了单层GeC,N掺杂、As掺杂及N-As共掺杂GeC体系的稳定性、电子结构及光学性质等。结果表明，单层GeC是一种禁带宽度为2.10 eV的直接带隙半导体。与单层GeC相比，掺杂后体系的禁带宽度和功函数均减小，表明体系的电子跃迁所需的能量相对较少。并且，掺杂后体系的光吸收系数均有所提高，同时吸收带边也发生了红移，有效拓宽了体系对光的响应范围，提高了体系对光子的吸收能力。此外，As掺杂GeC体系不仅在费米能级附近出现了杂质能级，而且在低能区的吸收系数、静介电函数及消光系数等光学性质最优。本研究可为GeC光电相关实验制备提供理论基础。
关键词：GeC;;掺杂;;第一性原理;;电子结构;;光学性质
基金资助：新疆维吾尔自治区自然科学基金(2021D01B46,2021D01B47);; 新疆维吾尔自治区重点研发计划项目(2020B02011)
