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作者：任殿胜;王志珍;张舒惠;王元立;
单位：北京通美晶体技术股份有限公司;
摘要：本文使用垂直梯度凝固(VGF)法制备了直径超过200 mm的Si掺杂GaAs单晶。通过多线切割、磨边、研磨、化学机械抛光和湿法化学清洗等加工工序制备出8英寸半导电型GaAs单晶衬底。使用X射线衍射、位错密度检测、霍尔测试、非接触式表面电阻率测试、光致发光测试和晶圆表面缺陷检测等对8英寸GaAs衬底的晶体质量、位错、电学性能和表面质量等特性进行了测试分析。结果表明：衬底(400)衍射峰半峰全宽低于0.009°;平均位错密度低于30 cm~(-2),其中，晶体头部平均位错密度为1.7 cm~(-2),且有98.87%的面积位错密度为0;衬底面内电阻率标准差小于6%,面内光致发光强度标准差小于4%,≥0.2μm的表面光点缺陷(LPD)个数小于10。上述结果表明，所制备的8英寸GaAs衬底质量优异，满足外延器件对高质量衬底的要求。
关键词：GaAs;;垂直梯度凝固;;8英寸;;单晶衬底;;位错密度
