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作者：杨大宝;刘波;周幸叶;许婧;邢东;冯志红;
单位：固态微波器件与电路全国重点实验室;中国电子科技集团公司第十三研究所;
摘要：为提高光电转换器件的输出功率，设计并制备了一种新型InP/InGaAs高功率电荷补偿(CC)改进型单行载流子(MUTC)光电二极管(PD)。InGaAs吸收层采用p型高斯掺杂部分耗尽层与非故意掺杂耗尽层相结合的形式，在异质结界面产生一个强电场以加速电子通过异质结界面，从而起到缓解异质结电子积聚的作用，增大了芯片的3 dB带宽；在吸收层和收集层间增加一层n型掺杂InP崖层，以增强异质结界面的电场，有效缓解了芯片空间电荷效应。为提高器件的高功率输出性能，将芯片阳极结直径增大到40μm,以增加芯片的散热面积；将背入射式芯片以倒装焊方式安装到300μm厚的金刚石基片上，以提高其散热性能。经测试，在1.55μm波长的激光照射下，该CC-MUCT-PD芯片的响应度在-6 V偏压下达到0.7 A/W,在10 GHz处脉冲输出功率为313 mW。
关键词：高输出功率;;电荷补偿(CC)改进型单行载流子(MUTC)光电二极管(PD);;高斯掺杂;;背入射;;金刚石基底
