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作者：张继禄;李家栋;舒华富;刘江;吴燕;李灵芝;鲁章波;
单位：浙江师范大学物理与电子信息工程学院;一道新能源科技股份有限公司中央研究院;
摘要：针对隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)太阳电池在紫外(UV)辐照下的性能衰减问题，提出了电池钝化层改进工艺。分析了不同AlO_x层厚度(3～6 nm)和SiN_x层折射率(2.0～2.3)下TOPCon太阳电池的抗紫外诱导衰减(UVID)能力，并揭示了其在紫外辐照下的电性能衰减机制，即Si—H键断裂直接导致开路电压衰减。适度增厚AlO_x层可高效吸收紫外光子，但AlO_x层过厚(≥6 nm)会因载流子隧穿阻力增大而降低电池性能；通过调整SiN_x层折射率，可优化电池表面的光学反射平衡，提高氢含量，增强电池钝化效果。通过Minitab软件进行相关性分析，验证了AlO_x厚度与SiN_x折射率对UVID抑制的关键作用。实验结果表明，AlO_x层厚度为5 nm、SiN_x层折射率为2.2时，效率衰减量最低，仅为0.78%。本文为TOPCon太阳电池抗UVID特性的提升提供了理论依据与工艺指导。
关键词：隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)太阳电池;;AlO_x;;SiN_x;;紫外诱导衰减(UVID);;电性能衰减
基金资助：浙江省“尖兵”“领雁”科技计划项目(2024C01054);; 国家自然科学基金(62404202);; 衢州市重点科技攻关项目(2023Z001)
