半导体技术杂志2025年第04期文章列表

---

1：超宽禁带半导体Ga_2O_3功率器件、紫外光电器件的新进展

2：高阈值电压的半环绕式MIS栅极p-GaN HEMT

3：基于BSIM-CMG紧凑模型的不同沟道外壳厚度n型核/壳NSFET的SPICE建模

4：基于V型介质柱的光子晶体全布里渊区平带特性

5：半导体桥换能元结构设计与制备

6：基于离心铸造法制备的CsPbBr_3多晶薄膜及其光电性能

7：晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池

8：一种TTL电平控制的间接加热式相变材料射频开关

9：基于改进YOLOv8网络模型的芯片BGA缺陷检测

10：时序优化的瞬态热反射成像测温技术

11：塑封SiC功率器件在高温损耗功率下的热应力和断裂分析

12：埋入式晶圆级封装芯片翘曲有限元仿真及参数敏感性分析

13：故障电压诱发的功率模块温升规律