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作者：刘宗岱;廖龙忠;赵慧丰;陈南庭;何庆国;
单位：中国电子科技公司第十三研究所;
摘要：研制了一款晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平控制的GeTe材料相变射频开关芯片。该芯片采用间接加热方式设计，使用高阻硅作为衬底材料、钨金属层作为间接加热微结构、AlN材料作为阻挡层，以提高热传导效率，并使用CAD优化结构尺寸；选择合适的电源控制芯片控制脉冲信号的幅度和宽度，将开启和关断脉冲分别降低到了3.3 V/500μs和5.0 V/100μs。测试结果表明，开关芯片的开关电阻比为1.86×10~6,在DC～40 GHz工作频段内，开态插入损耗小于0.9 dB,关断隔离度大于15 dB,耐功率达到37 dBm,展示了相变材料射频开关在工程应用的良好前景。
关键词：射频开关;;GeTe相变材料;;间接加热;;控制脉冲;;开关电阻比;;插入损耗;;隔离度
