半导体技术杂志2025年第05期文章列表

---

1：超宽禁带半导体Ga_2O_3功率器件、紫外光电器件的新进展(续)

2：具有双层空穴传输层的高亮度QLED

3：基于NiO/GaN核壳纳米柱阵列异质结的高性能自供电紫外光电探测器

4：全溶液法制备PAA/SU-8双层电介质OFET及其性能

5：基于瞬态漏源电流变化的SiC MOSFET陷阱表征

6：室温晶圆键合的金刚石基GaN HEMT制备与性能

7：TAZ与LS-97对铜CMP协同缓蚀效应

8：基于衬底台阶调控技术的高质量GaN生长

9：基于查找表均衡的高速SerDes发送端设计

10：175℃反激式高温直流开关电源设计

11：IGBT相变冷板的设计和数值模拟

12：横向结构压接IGBT动态测试平台设计及其寄生电感抑制

13：面向低电压穿越工况的DFIG变流器IGBT结温管理