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作者：唐鑫;柳志成;江弘胜;李国强;
单位：华南理工大学材料科学与工程学院;东莞市东华高级中学;
摘要：针对紫外光电探测器在自供电模式下光探测性能差的难题，提出了一种基于NiO/GaN核壳结构的纳米柱阵列异质结的自供电紫外光电探测器。采用分子束外延(MBE)法制备了分立、均匀的GaN纳米柱阵列，在此基础上通过简单的高温热氧化法合成了均匀的NiO薄层，形成了异质结核壳结构。得益于GaN纳米柱阵列异质结的结构优势，如高吸光特性和高载流子迁移率，制备的紫外光电探测器在没有任何电源的情况下，在365 nm波长紫外光照射下展现出高响应度(350 mA/W)、短响应(上升/下降)时间(36 ms/42 ms)、高电流开关比(2.1×10~5)和高紫外-可见光抑制比(2.9×10~4),性能优于目前报道的薄膜型异质结紫外光电探测器，在下一代紫外光探测中显示出巨大的应用潜力。
关键词：NiO/GaN;;紫外光电探测器;;纳米柱阵列异质结;;分子束外延(MBE);;高温热氧化法;;自供电光探测
基金资助：国家重点研发计划(2022YFB3604500,2022YFB3604501)
