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作者：赵正平;
单位：中国电子科技集团有限公司;固态微波器件与电路全国重点实验室;
摘要：在电动汽车等绿色能源应用和发展的带动下，宽禁带半导体材料SiC、GaN电力电子产业成为新一代产业的发展主流，而有可能成为下一代电力电子学发展的超宽禁带半导体材料金刚石、Ga_2O_3和AlN已成为目前前瞻性的科研热点，其中Ga_2O_3在这三种半导体材料中具有单晶尺寸发展最快、成本最低和功率二极管性能已接近工程化等特点，预判Ga_2O_3在电力电子和紫外光电器件两个领域具有提前工程化和后续产业化的发展趋势。介绍了Ga_2O_3在上述两个领域，如Ga_2O_3功率二极管、Ga_2O_3功率FET、Ga_2O_3紫外光电器件的最新进展。其中包括Ga_2O_3功率二极管在肖特基势垒二极管(SBD)、异质结二极管和MOS二极管方面的结构设计创新、工艺创新和可靠性；也包括Ga_2O_3功率FET在MESFET、MOSFET、异质结FET、无极FET和立体晶体管等方向的器件结构设计创新、工艺创新和可靠性；此外，还包括Ga_2O_3紫外光电器件在光电晶体管、薄膜光电导体、光电二极管、金属-半导体-金属(MSM)光电探测器和异质结构光电探测器等方向的器件结构设计创新、工艺和机理的创新。分析和评价了Ga_2O_3在电力电子和紫外光电器件两个领域从科研向工程化的发展态势。
关键词：超宽禁带半导体;;Ga_2O_3;;功率二极管;;功率FET;;紫外光电器件
