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作者：高楠;房玉龙;王波;张志荣;尹甲运;韩颖;刘超;
单位：中国电子科技集团公司第十三研究所;山东大学集成电路学院;
摘要：GaN晶体质量提升对材料及器件性能优化至关重要。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在SiC衬底上对GaN晶体质量进行了实验研究。对比了高温H_2刻蚀与高温HCl刻蚀对衬底台阶的影响，并对后续生长的AlN和GaN晶体质量进行了表征，发现增加衬底台阶宽度有助于降低半高宽(FWHM)。采用不同表面预处理条件进行材料生长，发现氨气/三甲基铝(NH_3/TMAl)交替预处理对台阶有修饰作用，有助于降低GaN(002)晶面X射线衍射(XRD)峰FWHM,对(102)晶面XRD峰FWHM影响较小。最后讨论了AlN生长温度对GaN晶体质量的影响，发现AlN和GaN晶体质量均随温度升高而提高。综合各条件生长得到的GaN(002)晶面XRD峰FWHM为58.5 arcsec的GaN外延层，该FWHM为目前已知最低值，该样品GaN(102)晶面XRD峰FWHM为104.9 arcsec。
关键词：金属有机物化学气相沉积(MOCVD);;GaN;;衬底台阶;;高温刻蚀;;半高宽(FWHM)
