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作者：贺斌;高宝红;霍金向;李雯浩宇;贺越;王建树;
单位：河北工业大学电子信息工程学院;河北省微电子超精密加工材料与技术协同创新中心;河北省微电子专用材料与器件工程研究中心;
摘要：极大规模集成电路(GLSI)中多层铜互连的化学机械抛光(CMP)是推动微电子技术发展的关键工艺之一。抑制剂是实现铜晶圆表面平坦化的重要因素,而表面活性剂可以改善铜晶圆的表面质量,因此抑制剂和表面活性剂的复配使用是研究的热点。通过抛光实验、电化学实验、接触角实验和表面表征测试,深入分析了LS-97和TAZ复配使用对铜表面的影响。研究结果表明,500 mg/L LS-97和2 mmol/L TAZ复配使用可以降低铜的抛光速率、改善润湿性、减少表面缺陷和降低表面粗糙度。LS-97和TAZ复配使用时,吸附层更致密、更稳定,铜晶圆表面质量更好。
关键词：化学机械抛光(CMP);;铜;;缓蚀剂;;表面活性剂;;复配
基金资助：国家自然科学基金(61704046);; 河北省自然科学基金(F2022202072)
