半导体技术杂志2025年第12期文章列表

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1：“功率器件先进封装与表征技术”专刊前言

2：SiC MOSFET体二极管双极退化与键合线老化解耦表征方法

3：多芯片并联6.5kV SiC MOSFET功率模块的电热均衡优化

4：基于电流影响因子的SiC MOSFET模型建立与分析

5：基于物理信息神经网络的SiC MOSFET Cauer热网络参数辨识方法

6：基于TDIM的高精度功率SMD结壳热阻测量技术

7：7 kV/250℃多通道IGBT高温反偏测试技术和验证

8：FRD功率模块HV-H3TRB试验失效机理和可靠性提升技术

9：120 kW 6000 A超大容量压接型IGBT功率循环测试技术及设备研制

10：基于任务剖面的汽车IGBT模块系统焊层可靠性标准研究

11：芯片间结温差异对多芯片并联模块寿命的影响

12：基于失效物理的IGBT模块温度循环寿命建模方法

13：基于应用工况的车规级功率器件湿热寿命评估

14：《半导体技术》2025年第50卷总目次