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《半导体技术》2025年第50卷总目次
半导体技术2025年第12期:《半导体技术》2025年第50卷总目次
来源:
期刊VIP网
时间:
摘要:
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该杂志刊期列表
2025年
12期
11期
10期
09期
08期
07期
06期
05期
04期
03期
02期
01期
2025年第12期
“功率器件先进封装与表征技术”专刊前言
SiC MOSFET体二极管双极退化与键合线老化解耦表征方法
多芯片并联6.5kV SiC MOSFET功率模块的电热均衡优化
基于电流影响因子的SiC MOSFET模型建立与分析
基于物理信息神经网络的SiC MOSFET Cauer热网络参数辨识方法
基于TDIM的高精度功率SMD结壳热阻测量技术
7 kV/250℃多通道IGBT高温反偏测试技术和验证
FRD功率模块HV-H3TRB试验失效机理和可靠性提升技术
120 kW 6000 A超大容量压接型IGBT功率循环测试技术及设备研制
基于任务剖面的汽车IGBT模块系统焊层可靠性标准研究
芯片间结温差异对多芯片并联模块寿命的影响
基于失效物理的IGBT模块温度循环寿命建模方法
基于应用工况的车规级功率器件湿热寿命评估
《半导体技术》2025年第50卷总目次
半导体技术
北大核心
CA
INSPEC
JST
Pж(AJ)
ISSN:1003-353X
CN:13-1109/TN
出版地:河北
主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
主管单位:中国电子科技集团公司
复合影响因子:0.765
综合影响因子:0.427
创刊时间:1976
期刊官网:https://bdtj.cbpt.cnki.net
出版周期:月刊