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作者：李倩茹;钱乐洋;秦世清;陈飞宇;张向阳;杨国锋;
单位：江南大学理学院;
摘要：SiC MOSFET在高频、高压、高功率密度等领域有巨大的应用潜力，但目前SiC器件模型相较于Si器件尚未形成成熟完整的体系。在综合考虑沟道长度调制效应和横向电场影响的基础上，提出了一种SiC MOSFET模型优化方法。在模型建立的过程中，考虑了内部结构和工艺参数对输出特性曲线的影响，并采用一种简单的非线性电容等效电路进行寄生电容的精确建模。结果表明在一定栅压范围内，输出曲线的仿真结果和数据手册拟合效果较好，开关过程的仿真波形和实验结果吻合程度较高。
关键词：SiC MOSFET;;SPICE建模;;输出曲线;;非线性电容;;双脉冲电路
基金资助：国家自然科学基金(62374075)
