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作者：徐胜前;邓二平;何凯;窦泽春;吴立信;华文博;丁立健;
单位：合肥工业大学电气与自动化工程学院;电能高效高质转化全国重点实验室(合肥工业大学);合肥综合性国家科学中心能源研究院;株洲中车电力机车研究所;
摘要：多芯片并联已成为电力电子领域的主流设计方案。然而，芯片间易形成显著的热耦合效应与电流分配不均衡现象，导致芯片间产生结温差异，进而威胁器件长期可靠性及寿命，亟需深入探究结温差异对器件寿命的作用机制。提出通过并联TO封装分立器件以精确调控结温，并设计多组功率循环试验复现结温差异现象。试验结果表明，芯片间结温差异对多芯片并联器件的寿命衰减影响显著。当结温差异超过25～30℃内某一阈值时，器件寿命缩短26%以上。
关键词：绝缘栅双极型晶体管(IGBT);;多芯片并联;;热耦合;;功率循环试验;;结温差异
基金资助：国家自然科学基金(52577188)
