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作者：王悦杨;马英杰;白永林;吴佳颖;廉浩哲;唐敏;刘伟景;
单位：上海电力大学电子与信息工程学院;中芯国际集成电路制造有限公司;
摘要：对一种新型的Si/Ge-核/壳纳米片场效应晶体管(NSFET)进行了SPICE建模。使用TCAD仿真获得器件特性数据，结合伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型，完成不同沟道外壳厚度的n型Si/Ge-核/壳NSFET的直流特性建模。通过分析核壳结构沟道的材料与结构设计特点及其导通原理，确立并修正了部分相关的物理参数，准确地描述了沟道外壳厚度改变引起的器件特性变化，完成核/壳NSFET的SPICE模型构建及验证。结果表明，单器件的直流特性参数的平均提取误差小于3%,验证误差小于5%。所建模型可以准确描述不同沟道外壳厚度的n型核/壳NSFET的器件特性，为核/壳NSFET的研发及仿真应用提供参考。
关键词：核壳结构;;纳米片场效应晶体管(NSFET);;TCAD;;伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型;;SPICE建模
