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现代电子技术2025年第20期:基于GA-BO-LSTM的电解电容剩余寿命预测

来源:期刊VIP网 时间:


作者:刘心怡;李小波;史尚贤;

单位:上海工程技术大学城市轨道交通学院;

摘要:单个产品的剩余寿命预测对系统稳定可靠工作具有重要意义。为了提高电解电容剩余寿命预测的准确性,解决因预测精度偏低导致的系统突发故障问题,提出一种结合遗传算法(GA)与贝叶斯优化(BO)来确定长短期记忆(LSTM)网络超参数的寿命预测方法。首先,使用Hermite插值法对数据进行预处理;接着,分别利用GA和BO对LSTM模型中的初始学习率、L_2正则化系数及隐含层细胞数3个超参数进行全局寻优;然后,将所得的2组超参数中代表相同含义的参数分别作为边界值,构建一种新的参数调优区间,并通过拉丁超立方抽样(LHS)法进行分层抽样,结合均方根误差和平均绝对误差确定最优层数为6层;最后,基于美国航空航天局(NASA)的电解电容加速退化实验数据进行算法验证。结果表明,所提算法的误差相较于LSTM、GA-LSTM、BO-LSTM至少降低了38.57%,具有更高的预测精度。

关键词:剩余寿命预测;;遗传算法;;贝叶斯优化;;长短期记忆网络;;超参数优化;;调优区间;;分层抽样

基金资助:国家自然科学基金资助项目(51907117)