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作者：倪自丰;季明捷;陈国美;张海涛;李俊杰;卞达;钱善华;
单位：江南大学机械工程学院;江苏省微纳增减材制造工程研究中心;无锡商业职业技术学院机电技术学院;无锡吴越半导体有限公司;
摘要：为探究化学机械抛光过程中工艺参数对铝酸镁钪晶片抛光效果的影响，该文研究了抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量3个工艺参数在化学机械抛光过程中对晶片表面材料去除的作用规律。结果表明：适当提高抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量有利于提高晶片的材料去除率和表面质量，其中抛光压力的影响最大，抛光盘转速次之，抛光液流量最小。此外，过高的抛光压力会导致晶片表面材料发生解理并出现片状剥离。因此，选择抛光压力0.2 kg/cm2、抛光盘转速70 r/min、抛光液流量200 mL/min作为抛光工艺参数，铝酸镁钪晶片的材料去除率达到了5.73μm/h，且表面粗糙度值仅为1.49 nm，实现了高材料去除率的同时获得了高质量晶片表面。
关键词：铝酸镁钪;;解理材料;;化学机械抛光;;工艺参数
基金资助：国家自然科学基金项目（52205196）;; 江苏省高校青蓝工程项目（2021）
