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作者：何锐聪;王亚冰;何美林;胡志富;
单位：河北雄安太芯电子科技有限公司;
摘要：基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT),研制了一种W波段的毫米波宽带三倍频器芯片。采用输入和输出Lange耦合器和两个反向并联晶体管对设计了平衡式倍频器电路拓扑，较好地抑制了基波、偶次谐波等信号，并且110 GHz处的峰值功率比传统三倍频器提高约4 dB。利用晶体管对紧凑的输入和输出匹配结构减小了芯片面积。测试结果表明，输入功率为22 dBm时，该三倍频器在输出频率67～115 GHz内的饱和输出功率大于5 dBm,变频损耗小于17 dB,在110 GHz处的峰值输出功率为8 dBm,倍频效率约为4%。该芯片尺寸为1.40 mm×0.80 mm,能够与功率放大器集成，实现宽带毫米波收发系统的小型化。
关键词：GaAs;;赝配高电子迁移率场效晶体管(pHEMT);;单片微波集成电路(MMIC);;三倍频器;;平衡式电路拓扑
