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作者：张力飞;路新春;闫妹;赵德文;
单位：清华大学机械工程系;高端装备界面科学与技术全国重点实验室;华海清科股份有限公司;
摘要：SiO_2磨料因其化学性质稳定及抛光后良好的表面平整度，作为关键磨料被广泛应用于化学机械抛光(CMP)。CMP后晶圆表面残留的颗粒物易引发划伤、击穿及短路等缺陷问题，严重削弱芯片的可靠性。基于SiO_2颗粒在Cu、Co和介质材料表面的吸附特性，综述了互连结构CMP后清洗技术和清洗液体系的原理、特点及研究现状。从颗粒清洗效率、表面质量、环境影响控制等多个维度对比了干法清洗和湿法清洗技术，分析了各类清洗技术的优势与局限性。此外，系统地探讨了pH调节剂、络合剂和表面活性剂等关键清洗液组分对颗粒去除的影响，从理论机制层面揭示了SiO_2磨料颗粒清洗所面临的核心挑战与解决方案；同时对未来互连结构CMP后清洗工艺的发展方向进行了前瞻性展望，旨在为后续研究提供有力的理论支撑与指导方向。
关键词：互连结构;;化学机械抛光(CMP)后清洗;;SiO_2颗粒;;清洗技术;;清洗液化学组分
基金资助：国家自然科学基金(51991370,51991374)
