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作者：万荣桂;郑理;王丁;周学通;沈玲燕;程新红;
单位：上海理工大学材料与化学学院;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
摘要：屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT MOSFET)在应用中，鉴于电路中存在寄生电感或感性负载，该器件极易受非箝位电感开关(UIS)应力的影响，可能导致器件烧毁失效。采用X射线衍射形貌(XRT)技术对SGT MOSFET雪崩失效后的X射线衍射图像进行研究。在不损坏器件的前提下，将烧毁点定位在元胞区域的漂移区。采用开盖检测方式验证了烧毁点位置的准确性，并且通过扫描电子显微镜(SEM)表征烧毁点的微观形貌。最后，通过仿真软件模拟芯片表面的三维图形，并利用TCAD仿真揭示了UIS的失效机理，即电流集中所产生的高温致使漂移区的硅融化。失效机理与实验结果相吻合。
关键词：屏蔽栅沟槽型功率MOSFET;;雪崩失效;;同步辐射;;无损检测;;截面拓扑
基金资助：集成电路材料全国重点实验室自主课题(SKLJC-Z2024-C02)
