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作者：翟培卓;洪根深;王印权;郑若成;谢儒彬;张庆东;
单位：中国电子科技集团公司第五十八研究所;集成电路与微系统全国重点实验室;
摘要：Flash开关单元是实现Flash型现场可编程门阵列(FPGA)的重要配置单元，具有可重构、集成度高、功耗低的优势。采用正交试验设计方法，进行了n型Flash开关单元编程及擦除试验，获取了Sense管和Switch管编程及擦除阈值电压，构建了Sense管编程阈值电压、Sense管擦除阈值电压、Switch管编程阈值电压、Switch管擦除阈值电压共四个回归模型。结果表明：所建立模型预测阈值电压的最大误差均不超过0.15 V,平均误差均不超过0.06 V,均具有较高的显著性，模型可信度高；Sense管和Switch管编程阈值电压与编程时间的对数、编程正压、编程负压分别呈线性关系，Sense管和Switch管擦除阈值电压与擦除时间的对数、擦除正压、擦除负压亦分别呈线性关系。回归模型可为Flash开关单元操作波形的设计和优化提供参考依据。
关键词：正交试验;;Flash;;开关单元;;阈值电压;;回归模型
