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作者：李立谦;张现磊;周涛;张志林;
单位：洛阳鸿泰半导体有限公司;
摘要：基于卧式扩散炉管的硅热氧化工艺，对影响SiO_2薄膜厚度均匀性的工装和工艺气体体积流量进行了研究，并使用数学模型对不同工装条件下炉管内气体流动分布及平衡态气体体积流量进行分析和讨论。测试结果和分析结论表明，保证炉管出气口的气密性对生成的SiO_2薄膜厚度的均匀性至关重要。在通入O_2量可携带足够H_2O蒸气进入扩散炉管中参与反应的情况下，SiO_2薄膜厚度的均匀性与通入O_2体积流量无关。当通入O_2体积流量过小时，其携带入的H_2O蒸气不足，造成SiO_2薄膜厚度的均匀性差。在加装石英挡板且O_2体积流量为1.5 L/min时，可在卧式扩散炉管中制备出厚度不均匀性小于1%的SiO_2薄膜。对于理解硅的热氧化过程中的动力学分布和提升SiO_2薄膜厚度均匀性有着重要的意义。
关键词：卧式扩散炉管;;气体体积流量;;气体流动分布;;气密性;;均匀性
基金资助：三维半导体材料及应用项目(2201020A)
