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作者：付兴中;刘俊哲;薛建红;尉升升;谭永亮;王德君;张力江;
单位：中国电子科技集团公司第十三研究所;大连理工大学控制科学与工程学院;
摘要：SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷密度的方法，对分别经过氮等离子体氧化后退火(POA)处理、氮氢混合等离子体POA处理、氮氢氧混合等离子体POA处理、氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性进行了分析。结果表明，该方法可以系统地评价SiC MOS电容电学特性和栅氧界面特性，经过氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容可以满足高温、大场强下长期运行的性能指标。
关键词：SiC MOS电容;;氧化后退火(POA);;平带电压漂移;;氧化物陷阱电荷;;可动电荷
