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作者：周子牛;敬成;鲁金科;赵浩;
单位：三峡大学电气与新能源学院;国网广元供电公司;
摘要：动态导通电阻现象会导致GaN器件导通电阻增加，不仅会增大器件通态损耗，还会使器件温升更加显著，是限制GaN器件在高频度变换器中应用的重要因素之一。针对该现象，设计一种基于高速脉冲恒流源的动态导通电阻测试平台，并利用该平台分析了两款不同电压等级器件的导通电阻对断态电压应力、断态电压持续时间以及环境温度的影响。研究结果表明：当断态电压应力增大到两款器件各自额定电压的60%，两款器件的导通电阻分别较各自的标称值变化了15%和25%；断态电压持续时间增至100 s，两款器件的导通电阻分别较各自标称值变化了40%和81%；随着环境温度增大到125℃，两款器件的导通电阻分别较各自的标称值变化了102%和105%。GaN器件动态导通电阻现象较为显著，因此有必要在设计变换器时慎重地考虑GaN器件的工况，以保证在符合系统指标的前提下降低动态导通电阻的影响，从而提高GaN器件的效率。
关键词：GaN器件;;恒流源;;动态导通电阻;;钳位电路;;断态电压应力;;断态电压持续时间
