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作者：陈雷庆;罗雅孜;
单位：东华理工大学机械与电子工程学院;
摘要：金属氧化物半导体(MOS)气体传感器因工作温度过高，在室温检测方面受到阻碍。近年来，过渡金属二硫化物(TMD)因独特的物理和化学性质在室温检测领域受到广泛关注。MoS_2作为TMD中的一种，因高比表面积、高电子迁移率等优点而被广泛研究，但本征MoS_2气体传感器响应较低。利用简单的溶剂热法及后续在不同氩气和氧气混合气氛中高温退火处理合成了MoS_2/MoO_2异质结构，并制备传感器进行性能测试。结果表明，持续通入10 cm~3/min氩气的传感器(M-10)对体积分数50×10~(-6) NO_2的响应从纯MoS_2传感器的1.72提升至19.69。与已有的MoS_2基气体传感器相比，该合成方法具有工艺简单、成本较低、可进行室温检测和灵敏度高的优势，为室温下检测NO_2提供了参考。
关键词：气体传感器;;MoS_2/MoO_2异质结构;;室温;;气体响应;;NO_2
基金资助：江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ180410)
