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作者：冯仕豪;余德水;马奎;杨发顺;
单位：贵州大学大数据与信息工程学院;贵州省微纳电子与软件技术重点实验室;半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心;
摘要：基于80 V双极型集成电路工艺，设计了一种具有过温指示功能的高速功率运算放大器。该设计采用源极驱动-共基放大的输入级电路结构，选用p沟道结型场效应晶体管(JFET)作为输入管，实现了低输入偏置电流和高转换速率。为防止输出功率晶体管因过热而损坏，设计了过温指示及热关断模块，在139～164℃的温度区间内具有迟滞型热关断与过温指示功能。芯片测试结果显示，该电路的输入偏置电流为16.804 pA,输入失调电流为2.49 pA,开环电压增益为128.2 dB,转换速率为19.57 V/μs,增益带宽积为3.5 MHz。
关键词：结型场效应晶体管(JFET)输入;;功率运放;;高转换速率;;低失调;;过温保护
基金资助：贵州省科技计划项目(黔科合支撑【2023】一般283)
