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作者：夏碧波;蔡乐;张鸿鑫;魏宏杰;彭新华;谭灿健;
单位：株洲中车时代半导体有限公司;
摘要：沟槽栅IGBT是提高功率器件功率密度和性能的主流发展方向。但随着芯片精细化程度的提升，制备过程产生的晶圆翘曲更大，更容易影响其工艺过程和工艺效果，因此芯片制备过程中的翘曲控制成为了新的关注点。系统分析了沟槽栅IGBT制备流程中翘曲的产生原因，从单项工艺制备条件、新型多晶硅/氧化层厚度的沟槽结构和背面膜层的去除站点流程三个方面提出了优化方案。通过整合各种优化方法，IGBT晶圆的翘曲从±120μm降低至±70μm以内，大幅度优化了晶圆翘曲，并减少了流片过程中的异常。
关键词：IGBT;;翘曲控制;;工艺优化;;多晶硅;;铝金属
