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作者：李俊敏;刘英坤;李通;蔡道民;
单位：中国电子科技集团公司第十三研究所;北京中电科卫星导航系统有限公司;
摘要：为解决传统功率放大器在管壳外部进行谐波匹配，导致谐波短路传输相位不一致和谐波、基波匹配电路互相影响的问题，基于0.25μm GaN HEMT工艺，对C波段高效率预匹配功率放大器进行研究。功率放大器管壳内部HEMT输入端采用键合线和瓷片电容形成T型匹配网络来提升输入阻抗，以HEMT输出端键合线和瓷片电容分别作为电感和电容进行串联，使HEMT输出端对二次谐波短路，控制器件的电压和电流波形，提高放大器的漏极效率。管壳外部利用微带线进行阻抗变换，将输入输出阻抗匹配到50Ω。经测试，GaN HEMT功率放大器在5.8 GHz下饱和输出功率、漏极效率和功率增益分别为48.7 dBm、72%和11.3 dB。
关键词：谐波阻抗匹配;;漏极效率;;GaN;;HEMT;;功率放大器
