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作者：孙凯;
单位：国家电投集团河北电力有限公司保定分公司;
摘要：动态导通电阻(R_(ON))会导致GaN HEMT额外的导通损耗，进而影响电力电子变换器的效率和热管理。探究了不同工作模式下反向导通电流对GaN HEMT R_(ON)漂移的影响。设计了基于全桥电路的测试方法，能够灵活调节器件的工作模式。实验发现反向导通工作模式对GaN HEMT R_(ON)漂移有积极影响。在无反向导通的软开关、硬开关和反向导通后软开关模式下，其R_(ON)分别为374、394和365 mΩ,表明反向导通后软开关模式能使器件的R_(ON)显著减小；当反向导通电流从1 A增大到4 A时，R_(ON)从365 mΩ进一步减小到342 mΩ。此外，基于理论分析及TCAD仿真，对该现象进行了机理分析。本研究为GaN功率器件在实际应用中的设计和性能优化提供了新思路。
关键词：GaN HEMT;;动态导通电阻;;反向导通;;软开关;;硬开关
基金资助：国家电投集团河北电力有限公司科技项目(KJ-C-2022-GF12)
