来源：期刊VIP网 时间：
作者：崔朝探;仵志达;芦雪;焦雪龙;杜鹏搏;
单位：河北新华北集成电路有限公司;河北省卫星通信射频技术创新中心;
摘要：随着GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)向高频、大功率方向发展，器件热耗不断增加，散热问题已成为制约电子器件性能提升的关键因素。采用有限元热仿真方法，将热设计应用于电路层面。通过优化单胞管芯栅宽、栅指数量及管芯排布方式，减小了热耦合效应，显著提升了放大器芯片的散热能力，优化后芯片峰值结温降低了28.05℃。采用红外热成像仪对47～52 GHz功率放大器芯片进行结温测试，测试与仿真结果高度吻合，误差在3%以内。相关成果可用于优化和指导芯片散热设计。
关键词：GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC);;芯片级散热;;有限元热仿真;;电路层面;;热耦合效应
