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作者：胡灿博;刘俊哲;刘起蕊;尹志鹏;崔鹏飞;王德君;
单位：大连理工大学控制科学与工程学院;工业装备智能控制与优化教育部重点实验室(大连理工大学);
摘要：SiC MOS器件的栅氧界面缺陷严重影响其性能。采用X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)技术，识别了SiC MOS电容中的SiO_xC_y和C—C缺陷及其元素分布，并结合文献数据确定了这些缺陷的能级位置，同时计算了其相应的时间常数。研究结果表明，这些缺陷的形成与氧元素缺乏密切相关，氧原子或离子因具有较强的穿透性，可有效消除这些缺陷。为优化样品性能，提出了电子回旋共振(ECR)臭氧等离子体二次氧化工艺。电学测试结果表明，优化后样品的界面态密度降低了约一个数量级，平带电压漂移量在300 K和150 K下分别减小约89.31%和71.10%。这种基于理化分析识别缺陷，并确定缺陷能级位置及计算相应时间常数的方法，为分析栅氧界面缺陷提供了一种精确的测量手段。
关键词：SiC MOS电容;;栅氧界面缺陷;;X射线光电子能谱(XPS);;二次离子质谱(SIMS);;缺陷能级;;时间常数
